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a.等浓度表面突出了基体中富Mg,Zn的细小沉淀，泉金秋菊在GB处粗大的沉淀和Al3Zr的弥散物。背景颜色b、趵突d分别表示色散体和S相的位置。泉金秋菊a.无H和H元素掺杂样品在120℃/24h时效后的工程应力-应变曲线。

b.H掺杂合金拉伸失败样品的背散射电子图片，趵突可以在晶界处看到晶间裂纹。泉金秋菊阴影带对应于剖面中计数统计的标准偏差。

基于这些发现，趵突本文进一步提出了一种减少氢脆现象的有效策略，趵突即通过金属间化合物颗粒捕获氢，使其不但避免氢脆现象的产生，还有利于力学性能的提高。

泉金秋菊图2D掺杂样品经过120℃/24h时效后的三维原子探针分析。为了消除晶体尺寸和阳离子排列的影响，趵突以及解释结晶度的明显变化，趵突本文计算了具有均匀阳离子无序结构的立方AgBiS2（空间群Fm-3m）的预期XRD衍射图案。

AgBiS2纳米晶体中，泉金秋菊Ag位点周围的阳离子分布存在不均匀的无序性。实验结果显示，趵突用聚(三芳胺)（PTAA）代替PTB7作为电子阻挡层（即空穴传输层）可以大幅提高开路电压（Voc）和填充因子（FF），趵突并导致PCE增加约20％，达到8.7±0.3％，最佳设备达到9.17％（图4c，d）。

这一现象被HRTEM测量进一步证实（图3c，泉金秋菊d），{200}平面的综合线剖面在退火后显示出轻微的收缩，进一步证实了从阳离子偏析到均匀无序的过渡。在环境条件下对未封装的电池进行10小时的最大功率点测试后，趵突该装置保持了85%的原始效率（图4g）。