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酒具界(d)功率因子随温度的变化及与其他文献的对比情况。州牙通过晶格热导率计算发现：高温烧结样品的晶格热导率明显降低（较低温烧结的样品平均降低~27%）。

背后(d)一处在873K烧结样品中观察到的位错网络。因此，迪拜店里的扬的世合理利用本征Ge空位构建高维缺陷结构成为了解决上述难题的新思路。 四、酒具界小结综上所述，该研究工作提出了一种缺陷结构工程的新思路。

此外，州牙高维缺陷的构建弱化了载流子散射，提升了电输运性能，最终在648K获得了大于2.3的ZT值，在300K到798K的范围内获得了1.56的平均热电优值（图1）。另外一方面，背后研究人员对电输运性能进行了测试与表征，背后发现缺陷工程调控Ge空位不仅没有恶化电性能，而且在不影响Seebeck系数的前提下，提高了Hall迁移率和电导率，实现了电导率与Seebeck系数的解耦，大幅提升了体系的功率因子。

迪拜店里的扬的世(b)873K烧结样品的室温晶格热导率与723K烧结样品的对比。

酒具界     图1.缺陷结构演化实现对电声输运性能的协同调控。州牙（c）积分gO-H(r)表示不同r(O-H)距离下O除以H的CN。

背后（e）优化的H2O和Li(H2O)4+在孤立态和溶剂化态的几何结构。图二、迪拜店里的扬的世ETS测量的原理图和工作原理©2022SpringerNatureLimited（a）ETS测量用片上PtNW器件，迪拜店里的扬的世其中RE、CE和PtNWs（WE）分别是基准、计数器和工作电极，S和D分别代表源极和漏极端子。

尽管HBE在酸性介质中取得成功，酒具界但不是碱性介质中HER/HOR动力学的明确描述，这些吸附质可能会改变界面分子结构和反应路径。虽然纯金属表面的HBE原则上可作为HER的有效物理描述符，州牙但相关物理参数的实验测定常因电解质和不同表面吸附质的存在而变得复杂，州牙特别是在吸附质更复杂的碱性电解质中。